レーザ直接描画装置を用いた厚膜フォトレジスト露光
レーザ直接描画装置を用いた厚膜フォトレジスト露光
カテゴリ: 全国大会
論文No: 3-095
グループ名: 【全国大会】平成20年電気学会全国大会論文集
発行日: 2008/03/19
タイトル(英語): Thick Film Photoresist Patterning with Laser Maskless Photolithography System
著者名: 村上 裕二(広島大学),石川 智弘(広島大学),木村 一彦(レイテックス),松岡 孝志(レイテックス),松本 公三(レイテックス)
著者名(英語): Yuji Murakami(Hiroshima University),Tomohro Ishikawa(Hiroshima University),Kazuhiko Kimura(Raytex),Takashi Matsuoka(Raytex),Kozo Matsumoto(Raytex)
キーワード: マスクレス|SU?8|高アスペクト比|鋳型
要約(日本語): 厚膜フォトレジストのSU-8はMEMSやその関連領域で多用されているが、研究レベルではフォトマスク調達時の制約が大きい。SU-8は紫外露光するものと思われており、これまでの直接描画の試みも紫外光を用いているが、描画装置は405nm光源の方がコストやメンテナンス性に優れており有利である。最近、より厚膜のマスク露光では400nm付近の優位性が示された。そこで本研究では厚膜時に平滑さを保つことのできるドライフィルム型のSU-8レジストと405nmマスクレス露光装置を組み合わせ、100μm厚レジストの直接描画についての条件検討を行い、本法が1ショット露光で鋳型形成などに十分利用可能であることを見出した。
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 882 Kバイト
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