導波路/アクチュエータ間のレイヤ分離構造設計技術によるRF-MEMSスイッチ

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-102

グループ名: 【全国大会】平成20年電気学会全国大会論文集

発行日: 2008/03/19

タイトル(英語): An RF-MEMS switch by Waveguide/Actuator Layer-Separation designing technique

著者名: 山根 大輔(東京大学),Winston Sun(東京大学),清田 晴信(京都大学),川崎 繁男(京都大学),藤田 博之(東京大学),年吉 洋(東京大学)

著者名(英語): Daisuke Yamane(The University of Tokyo),Winston Sun(The University of Tokyo),Harunobu Seita(Kyoto University),Shigeo Kawasaki(Kyoto University),Hiroyuki Fujita(The University of Tokyo),Hiroshi Toshiyoshi(The University of Tokyo)

キーワード: MEMSスイッチ|高周波|シリコンマイクロマシニング|1入力2出力型|金属接点型|水平方向静電駆動

要約(日本語): This paper presents a layer-separated RF-MEMS SPDT (single-pole-double-throw) switch integrated with coplanar waveguides and electrostatic actuators using the silicon bulk micromachining technique on an SOI-wafer. The switch had metal-to-metal contacts for the SPDT function that is compatible with the lateral motion of the actuator.Simulation results and the measurement of the silicon micromachined waveguides are presented. Ansoft HFSS simulation suggested a low insertion loss of 0.8 dB and a low return loss of -20 dB in the Ku/Ka frequency range (12-14 GHz) thanks to the high resistivity of the substrate used (over 1000 Ohm.cm).

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 724 Kバイト