SiO2ダイアフラム上圧電型超音波マイクロセンサ

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-144

グループ名: 【全国大会】平成20年電気学会全国大会論文集

発行日: 2008/03/19

タイトル(英語): Piezoelectric Ultrasonic Microsensors on SiO2 Diaphragms

著者名: 山下 馨 (京都工芸繊維大学),吉崎智也 (大阪大学),梅川 淳 (大阪大学),野田 実 (京都工芸繊維大学),奥山雅則 (大阪大学)

キーワード: 超音波センサ|ダイアフラム|シリコン熱酸化膜|撓み|応力|感度

要約(日本語): 圧電薄膜を用いたダイアフラム型超音波マイクロアレイセンサを開発してきている。従来はSOIウェハを用いて、異方性エッチングが埋め込み酸化膜層で停止することを利用してダイアフラム構造を作製しているが、前回SOIの埋め込み酸化膜層および活性層を除去して表面酸化膜層のみのダイアフラム上にセンサ作製することにより感度が向上することを報告した。そこで今回は、SOIを用いずに通常のシリコンウェハを用いて熱酸化膜上にセンサ作製を試みた。これまでの研究成果から、ダイアフラムの静的撓みがセンサ感度に影響を与えることが分かっているので、圧縮応力を生ずる熱酸化膜に対して引っ張り応力を生ずる圧電層の膜厚を変えたものおよびダイアフラム上電極周囲の圧電層を除去したものを作製し、感度を比較した。その結果、圧電層を十分薄くしたもの及び周囲を除去したものにおいて引張り応力を緩和し適切な静的撓みを導入できたため十分な感度が得られ、従来のSOIウェハ版と同等以上の性能を持つセンサを実現できた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 860 Kバイト