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交流変調時におけるプロトンポンピングゲートFET型水素センサの応答特性評価

交流変調時におけるプロトンポンピングゲートFET型水素センサの応答特性評価

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-165

グループ名: 【全国大会】平成20年電気学会全国大会論文集

発行日: 2008/03/19

タイトル(英語): Response Properties of a Proton Pumping Gate FET Type Hydrogen Sensor in an AC Modulation Mode

著者名: 山口富治 (岡山大学),滝澤正教 (岡山大学),紀和利彦 (岡山大学),山田博信 (岡山大学),塚田啓二 (岡山大学)

キーワード: 水素センサ|FET|プロトンポンピングゲート|交流変調

要約(日本語): 本研究では,交流変調時におけるプロトンポンピングゲートFET型水素センサの応答特性を評価した.この水素センサは,FETのゲート絶縁膜上に蒸着した白金電極の上に,固体電解質およびパラジウム電極を積層した感応膜構造を持つ.窒素雰囲気下では,センサ信号の直流・交流両成分は10 ppm-10%の広い水素濃度範囲で応答した.一方で,空気雰囲気下では直流成分の低濃度における感度は減少したが,800 ppm以上の水素濃度に対する感度は逆に増加した.また,交流成分は8 ppm程度の極めて低濃度の水素に感度があった.これらの結果より,窒素,空気の両雰囲気下で交流変調による水素検出が可能であることが示された.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,043 Kバイト

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