第6世代1200VトレンチFS-IGBTチップの開発

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-160

グループ名: 【全国大会】平成20年電気学会全国大会論文集

発行日: 2008/03/19

タイトル(英語): Development of 6th Generation 1200V Trench-Gate FS-IGBT

著者名: 高橋 孝太(富士電機デバイステクノロジー),小野澤勇一 (富士電機デバイステクノロジー),大月正人 (富士電機デバイステクノロジー),井川 修(富士電機デバイステクノロジー)

著者名(英語): kouta Takahashi(Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd.),Yuichi Onozawa(Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd.),Masahito Otsuki(Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd.),Osamu Ikawa(Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd.)

キーワード: IGBT|トレンチ|EMI|FS

要約(日本語): 今回、トレンチFS (Field-Stop) IGBT(6)の、トレンチゲートの構造を新しくすることにより、これまでのゲート構造と比較して、例えばFWDの逆回復dv/dtを10kV/msecに揃えた場合のターンオン損失を約36%低減することに成功した。またドリフト層を薄くすることにより、オン電圧とターンオフ損失のトレードオフを20%改善することが出来た。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,168 Kバイト