GaN双方向スイッチ

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-161

グループ名: 【全国大会】平成20年電気学会全国大会論文集

発行日: 2008/03/19

タイトル(英語): GaN bidirecitonal switch

著者名: 町田 修(サンケン電気),金子 信男(サンケン電気),岩上 信一(サンケン電気),柳原 将貴(サンケン電気),後藤 博一(サンケン電気),岩渕 昭夫(サンケン電気)

著者名(英語): Osamu Machida(Sanken Electric Co.,Ltd.),Nobuo Kaneko(Sanken Electric Co.,Ltd.),Shinichi Iwakami(Sanken Electric Co.,Ltd.),Masataka Yanagihara(Sanken Electric Co.,Ltd.),Hirokazu Goto(Sanken Electric Co.,Ltd.),Akio Iwabuchi(Sanken Electric Co.,Ltd.)

キーワード: GaN|化合物半導体|FET|双方向スイッチ

要約(日本語): Si基板上のGaN系デバイスは、通常横型構造であり表面電極の設計のみで正負両方向の耐圧をもたせることが可能である。そのため通常は複数のデバイスで構成される双方向スイッチが、GaN横型デバイスでは1個で実現可能であると考えられる。Si基板にGaN系結晶をエピタキシャル成長したウエハ上にゲート電極が1つのノーマリオン型の双方向スイッチを作製した。試作したデバイスのDC特性を評価したところ、主電極を入れ換えても同等の特性を示し双方向スイッチに要求される基本特性を持つことが確認できた。動特性を確認するため双方向スイッチに交流電圧を印加したところ、正負の電流を良好にスイッチングすることが出来た。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 743 Kバイト