インダクタインパルス重畳方式による超高速スイッチング素子の駆動回路

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-162

グループ名: 【全国大会】平成20年電気学会全国大会論文集

発行日: 2008/03/19

タイトル(英語): Inductive Impulse Superposition Based Gate Drive Circuit of Ultra High-Speed Switching Devices

著者名: 矢島 哲志(長岡技術科学大学),野口 季彦(長岡技術科学大学)

著者名(英語): Satoshi Yajima(Nagaoka University of Technology),Toshihiko Noguchi(Nagaoka University of Technology)

キーワード: 超高速スイッチング|MOSFET|ゲートドライブ|インダクタインパルス

要約(日本語): MOSFETのゲート容量の高速充放電方式として，主素子ゲート駆動回路の正負電源を有効利用するとともに，インダクタに発生するサージ電圧を主素子ゲート電圧に重畳してゲート容量の高速な充放電を実現するインダクタインパルス重畳方式について，従来方式との比較評価を行った。その結果，制御信号から主回路ドレイン・ソース間電圧の立ち下がりまでの時間を従来回路と比較して半減することができ，立ち上がりでは約2割短縮することができた。また，ドレイン・ソース間電圧の立ち下がり時間を従来回路の1/4に短縮することができ，4.88 nsの超高速スイッチングを実現することができた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,775 Kバイト