SiC-SBDによるターンオフ損失低減効果

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-164

グループ名: 【全国大会】平成20年電気学会全国大会論文集

発行日: 2008/03/19

タイトル(英語): Effect of turn off loss reduction by using SiC-SBD

著者名: 松下 晃久(東芝),小谷 和也(東芝),大部 利春(東芝),森川 竜一(東芝),葛巻 淳彦(東芝),田井 裕通(東芝),田多 伸光(東芝),松本 寿彰(東芝)

著者名(英語): Akihisa Matsushita(Toshiba),Kazuya Kodani(Toshiba),toshiharu oobu(Toshiba),ryuichi morikawa(Toshiba),atsuhiko kuzumaki(Toshiba),hiromichi tai(Toshiba),nobumitsu tada(Toshiba),toshiaki matsumoto(Toshiba)

キーワード: SiC|ターンオフ損失|SBD|スイッチング|順回復電圧

要約(日本語): SiCを用いたダイオードSiC-SBDはダイオードリカバリが無いため、リカバリ損失が無く、ターンオン損失も低減できる。このため、インバータなどの低損失化が期待される。今回、SiC-SBDを用いたモジュールでスイッチング試験を行うことで、全スイッチング損失を60%低減できることを確認した。さらに、損失結果を分析することで、従来影響しないと考えられたターンオフ損失についても減少する結果が得られた。この結果の原因を分析したところ、SBDダイオードは順回復電圧が小さいために、等価インダクタンスが減少したためであることを見出した。結果、SiC-SBDを用いることで、ターンオフ損失も減少し、低損失化が可能になる。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,594 Kバイト