GaN高電子移動度トランジスタにおけるスイッチング損失解析モデル

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-166

グループ名: 【全国大会】平成20年電気学会全国大会論文集

発行日: 2008/03/19

タイトル(英語): Analytical modeling of switching loss in GaN-HEMTs

著者名: 中島 昭(産業技術総合研究所),高尾 和人(東芝),清水 三聡(産業技術総合研究所),奥村 元(産業技術総合研究所),大橋 弘通(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Akira Nakajima(AIST),kazuto Takao(AIST),Mitsuaki Shimizu(AIST),Hajime Okumura(AIST),Hiromichi Ohashi(AIST)

キーワード: GaN|hemt|等価回路|スイッチング損失

要約(日本語): 本報告では、これまでSi素子で検証された素子損失モデルを、GaN高電子移動度トランジスタ（GaN-HEMT）に適用したときの妥当性を、デバイスシミュレーションを用いて検証した。デバイスシミュレーションにより得られたスイッチング波形から求めた損失、およびデバイスシミュレーションにより抽出した等価回路パラメータを解析モデルに代入して計算した損失を比較した。その結果、両者は97%以上の精度で一致した。Si-MOSFETにおいて用いられる解析モデルは、GaN-HEMTにも応用できることが分かった。本研究結果から、Si素子で用いられてきた電力変換回路設計手法は、GaN素子にも適用可能であると考えられる。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,492 Kバイト