回路損失モデルに基づく高温・高パワー密度SiCインバータの試設計

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-167

グループ名: 【全国大会】平成20年電気学会全国大会論文集

発行日: 2008/03/19

タイトル(英語): Test design of high temperature and high output power density SiC inverter based on circuit loss model

著者名: 森田 一茂(千葉大学),林 祐輔(産業技術総合研究所),佐藤之彦 (千葉大学),大橋 弘通(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Morita Kazushige(Chiba University),Hayashi Yusuke(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Sato Yukihiko(Chiba University),Ohashi Hiromichi(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)

キーワード: SiC|高パワー密度|高温|寄生パラメータ|損失

要約(日本語): 電力変換器の高パワー密度化を実現するためには、フィルタ小型化のために高周波動作をすること、放熱器小型化のために高温動作が可能なSiCデバイスを利用することが望ましい。しかしながら、半導体デバイスを高速・高周波で駆動する場合、寄生パラメータの影響を考慮することが重要となる。本稿では、SiC-SITとSiC-SBDの半導体素子損失を、高速・高周波条件下において、回路総合損失モデルに基づき検討した。また、損失計算結果をもとに、SiCデバイスが150℃で動作することを想定した単相フルブリッジインバータ回路の放熱器簡易計算を行った。変換器主回路と放熱器の体積が最小となる容量を検討し、変換器試作による特性検証を行った。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,181 Kバイト