超低損失SiC-SITの安全動作領域に関する実験的検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-168

グループ名: 【全国大会】平成20年電気学会全国大会論文集

発行日: 2008/03/19

タイトル(英語): Experimental investigation of the safe operating area of super low-loss SiC-SIT

著者名: 戸林 俊介(千葉大学),林 祐輔(産業技術総合研究所),田中 保宣(産業技術総合研究所),釜我昌武 (千葉大学),佐藤之彦 (千葉大学),大橋 弘通(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Shunsuke Tobayashi(Chiba University),Yusuke Hayashi(Advanced Industrial Science and Technology),Yasunori Tanaka(Advanced Industrial Science and Technology),Masamu Kamaga(Chiba University),Yukihiko Sato(Chiba University),Hiromichi Ohasi(Advanced Industrial Science and Technology)

キーワード: 低損失パワーデバイス|SiC-SIT|安全動作領域

要約(日本語): シリコンカーバイド（以下、SiCと表記）はシリコン（以下、Siと表記）と比較して絶縁破壊電界が高く耐熱性に優れており、Siに代わる超低損失の半導体素子の材料として注目されている。SiC-静電誘導型トランジスタ（以下、SITと表記）を電力変換器に用いることで高効率化だけでなく、高温動作が可能なため放熱器の小型化が実現され、高パワー密度化(W/cc)も期待できる。しかし、素子破壊耐量を考慮したSi-半導体素子に対するSiC-SITの優位性は実験的には明らかにされていない。本稿では、試作したSiC-SITと市販のSi-スーパージャンクションMOSFETの安全動作領域を負荷短絡耐量試験により比較して、SiC-SITの優位性を実験的に明らかにする。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,616 Kバイト