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高強度パルスイオンビーム発生と材料照射実験

高強度パルスイオンビーム発生と材料照射実験

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-165

グループ名: 【全国大会】平成21年電気学会全国大会論文集

発行日: 2009/03/15

タイトル(英語): Generation of high intensity pulsed aluminum ion beam and its application to material processing

著者名: 藤川 幸大(富山大学),落合 靖(富山大学),鍋谷 実(富山大学),伊藤 弘昭(富山大学),升方 勝己(富山大学)

著者名(英語): Kodai Fujikawa(University of Toyama),Yasushi Ochiai(University of Toyama),Minoru Nabetani(University of Toyama),Hiroaki Ito(University of Toyama),Katsumi Masugata(University of Toyama)

キーワード: パルスパワー|イオンビーム|真空アーク放電|磁気絶縁イオンダイオード

要約(日本語): 高強度パルスイオンビーム(PHIB)は、材料への照射によってイオン注入と同時に表面アニーリング処理を行うことが出来、従来のようなイオン注入後のアニーリング処理を必要としないので、SiC等の高融点材への新しいイオン注入法(パルスイオン注入法)への応用が期待されている。PHIBを半導体プロセスに応用するためには高純度のイオンビーム発生が不可欠であり、また、半導体のドーパント元素の多くが固体であるため、固体をイオン源とするPHIBの発生技術の開発が必要である。我々は、パルスイオン注入が可能なパラメータを持つパルスイオンビームの発生を目指して研究を行っており、また、実際にパルスイオンビームを材料に照射した際の材料の変化について研究を行っている。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 596 Kバイト

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