C8F18プラズマCVDによるa-C:F膜の波状構造積層堆積

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-195

グループ名: 【全国大会】平成21年電気学会全国大会論文集

発行日: 2009/03/15

タイトル(英語): Deposition of wave-shaped layered a-C:F films by C8F18 plasma CVD

著者名: 水野 巧一朗(北海道大学),山内 達也(北海道大学),菅原 広剛(北海道大学),村山 明宏(北海道大学)

著者名(英語): Mizuno Kouichirou(Hokkaido University),Yamauchi Tatsuya(Hokkaido University),Sugawara Hirotake(Hokkaido University),Murayama Akihiro(Hokkaido University)

キーワード: a-C:F膜|波状構造積層堆積|プラズマCVD|低誘電率層間絶縁膜

要約(日本語): 非晶質フッ化炭素膜（a-C:F膜）は低誘電率高絶縁耐力材料の一つとして注目を集め、半導体集積回路の配線間容量による動作遅延の低減を目的とした低誘電率層間絶縁膜としての研究が行われている。本研究ではプラズマ化学気相堆積（CVD）法を用いてa-C:F膜の生成を行った。さらに我々は、プラズマCVD装置内でa-C:F膜の低電力堆積と高電力堆積を一連のプロセスとして行うことにより、その堆積膜の形状が波状になることを見出した(1)(2)(3)。このような波状膜の中には微小な空隙が導入されるため、膜全体のより一層の低誘電率化の可能性がある。本報告では、波状膜の特性評価と波状膜生成に必要な条件を特定するために行った実験の結果について述べる。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,045 Kバイト