プラズマCVD法によるカーボンナノチューブ成長-CNT直径の触媒・支持材料膜厚依存性-

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-196

グループ名: 【全国大会】平成21年電気学会全国大会論文集

発行日: 2009/03/15

タイトル(英語): Growth of Carbon Nanotubes Growth by CH4/H2 Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition -Dependences of Diameter of Carbon Nanotubes on Catalyst and Supporting Layer Thickness-

著者名: 福田 祐司(北海道大学),浅岡 典央(北海道大学),高山 純一(北海道大学),菅原 広剛(北海道大学),村山 明宏(北海道大学),末岡 和久(北海道大学),須田 善行(豊橋技術科学大学)

著者名(英語): Yushi Fukuda(Hokkaido University),Norichika Asaoka(Hokkaido University),Junichi Takayama(Hokkaido University),Hirotake Sugawara(Hokkaido University),Akihiro Murayama(Hokkaido University),Kazuhisa Sueoka(Hokkaido University),Yoshiyuki Suda(Toyohashi University of Technology)

要約(日本語): Cuに代わるLSIの層間配線としての応用が期待されるCNTの成長を、CNT合成手法の中で最も低温合成が可能なプラズマCVD法により行っている。CNT成長前に触媒を微粒子化し還元を行う前処理中のFe触媒とAl2O3支持材の状態変化に着目し、それらの膜厚を変化させ、下層の支持材の膜厚増加に伴いCNT直径も減少するという結果を得たが、厚くし過ぎても微粒子化の効果がなくなる傾向が見られており、微粒子化には最適な厚さがあることが示唆される。本実験により数nmの直径をもつ多層CNTの直径を大まかに制御することができた。さらに前処理や膜厚の条件を整えることで密度の向上とSWCNTの成長条件の解明を目指す。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,168 Kバイト