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分子軌道法を用いた高分子内のトラップ準位の算出
分子軌道法を用いた高分子内のトラップ準位の算出
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カテゴリ: 全国大会
論文No: 2-063
グループ名: 【全国大会】平成21年電気学会全国大会論文集
発行日: 2009/03/15
タイトル(英語): Numerical estimation of trap site level in polymeric materials using molecular orbital method
著者名: 早瀬悠二 (武蔵工業大学),田原麻衣 (武蔵工業大学),高田達雄 (武蔵工業大学),田中康寛 (武蔵工業大学)
キーワード: 分子軌道法|トラップ|エネルギー準位|ポテンシャル分布|ポリエチレン|高分子
要約(日本語): 良好な絶縁体である低密度ポリエチレン(LDPE)に高電界を印加することにより空間電荷が蓄積し、伝導電流や絶縁破壊特性に多大な影響を及ぼすことが知られている。空間電荷が蓄積するためには高分子内に電荷を捕獲するトラップが存在することを意味するが、高分子内のどのような構造がどの程度の深さのトラップとなるかを検討した例はあまりない。そこで著者らは分子軌道法を用いて高分子内に形成されるトラップのエネルギー準位を算出した。LDPEは単体では帯電し難いバンド構造であるが、酸化されることにより、価電子帯の上部に0.60eV、伝導帯の下部に-3.25, -0.52eVの新たなエネルギー準位、すなわちトラップ準位が新たに形成されることが示された。
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 871 Kバイト
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