極点図測定によるZnTe(110)/Siの構造解析

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-082

グループ名: 【全国大会】平成21年電気学会全国大会論文集

発行日: 2009/03/15

タイトル(英語): X-ray diffraction pole figure measurements of ZnTe(110) epitaxial layer grown on Si by MBE

著者名: 桜沢 翔(早稲田大学),馬場 俊彰(早稲田大学),今田 将太(早稲田大学),小林 正和(早稲田大学)

著者名(英語): Sho Sakurasawa(Waseda University),Toshiaki Baba(Waseda University),Shota Imada(Waseda University),Masakazu Kobayashi(Waseda University)

キーワード: 極点図|配向性|テルル化亜鉛|MBE|ドメイン

要約(日本語): 目的：基板に平行な方向に1つの(110)ドメインを持つ配向への指針を得る方法：Si基板上にZnTe(110)をMBE法により結晶成長させた。θ-2θ測定で多結晶、及び単結晶に近いと考えられた2つの試料に対し極点図測定を行ない、ZnTe層に存在するドメインの方向、分布を探査、比較した結果：多結晶ZnTe層には5種類の(110)ドメインが存在し、ブロードな信号となったのに対し、単結晶に近いZnTe(110)には3種類の(110)ドメインが存在し、鋭い信号となった。多結晶と比較して単結晶に近いZnTe(110)では、ドメインの種類、数が減少したと考えられる考察：TEM観察の結果から、基板に平行なもの以外の(110)ドメインは、{111}上の積層欠陥に伴って形成されることが明らかになった。積層欠陥を抑制させることで基板に平行な方向に1つの(110)ドメインを持つ配向が促進されると考えられる。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,003 Kバイト