PLD法による発光素子(LaO)CuSの成膜

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-089

グループ名: 【全国大会】平成21年電気学会全国大会論文集

発行日: 2009/03/15

タイトル(英語): Synthesis of (LaO)CuS Film for Light Emission Element by Pulsed Laser Deposition Method

著者名: 上原 朋之(日本大学),鈴木 薫(日本大学)

著者名(英語): Tomoyuki Uehara(Nihon University),Kaoru Suzuki(Nihon University)

キーワード: 半導体|発光素子|ワイドギャップ半導体|PLD法|(LaO)CuS|YAGレーザ

要約(日本語): 近年、結晶･薄膜作製技術の向上により、広いバンドギャップエネルギーを持つ半導体(ワイドギャップ半導体)の生成がより身近なものとなっている。透明性でありながら電気伝導を可能とし、なおかつUV領域を吸収･発光する特徴を有していることから、光学材料･光学デバイスとして応用が期待されている。一般にワイドギャップ半導体はOといった軽元素が欠陥しn型になりやすいため、p型のワイドギャップ半導体であるLaO(CuS)は今後半導体デバイスを作り出すために優良である。そこで著者等はデバイス化を目的とし、電極形成の手法として銅(Cu)薄上への成膜結果について報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 590 Kバイト