W針を用いたPr0.7Ca0.3MnO3薄膜のReRAMにおけるW酸化物の影響

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-092

グループ名: 【全国大会】平成21年電気学会全国大会論文集

発行日: 2009/03/15

タイトル(英語): Effect of tungsten oxide in ReRAM property of W/Pr0.7Ca0.3MnO3/Pt structure

著者名: 梶 宏道(北海道大学),近藤洋史 (北海道大学),藤井 孝史(北海道大学),有田 正志(北海道大学),高橋 庸夫(北海道大学)

著者名(英語): Hiromichi Kaji(Hokkaido University),Hirofumi Kondo(Hokkaido University),Takashi Fujii(Hokkaido University),Masashi Arita(Hokkaido University),Yasuo Takahashi(Hokkaido University)

キーワード: 抵抗変化型メモリ

要約(日本語): 金属/金属酸化物/金属構造への電圧印加による抵抗変化を利用したReRAMが、将来の不揮発性メモリとして注目されている。本研究において、上部電極としてW針を用いたW/Pr0.7Ca0.3MnO3/Pt構造のI-V測定を行ったところ、(a)電圧正側で高抵抗から低抵抗に変化する特性(b)電圧正側で低抵抗から高抵抗に変化する特性の、2種類のReRAM特性が得られた。 特性の出現頻度は、特性(b)の特性の方が高く、この特性は従来報告されていたPCMOによるReRAM特性に近い。このため(a)の特性が出る原因として、Wの酸化物の効果を考え、表面を酸化させたW針をPt電極に接触させてI-V測定を行った。これにより実効的にW/WOx/Pt構造のI-V特性を調べた結果、(a)の特性と極めて類似した特性が得られため、(a)の特性はWの酸化物によるReRAM特性であると考えられる。一方、(b)の特性は、PCMOのReRAM特性と考えられる。

原稿種別: 日本語

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