ディップコート法によるC60晶析体の成長機構と物性の評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-098

グループ名: 【全国大会】平成21年電気学会全国大会論文集

発行日: 2009/03/15

タイトル(英語): Evaluation of Growth Mechanism and Material Properties of Precipitated C60 Crystal using Dipcoat Method

著者名: 栗原 浩平(日本大学),飯尾 靖也(日本大学),田原 元晃(日本大学),岩田 展幸(日本大学),山本 寛(日本大学)

著者名(英語): Kouhei Kurihara(College of Science and Technology,Nihon University),Yasunari Iio(College of Science and Technology,Nihon University),Motoaki Tahara(College of Science and Technology,Nihon University),Nobuyuki Iwata(College of Science and Technology,Nihon University),Hiroshi Yamamoto(College of Science and Technology,Nihon University)

キーワード: C60|フラーレン

要約(日本語): 本実験では、C60をチャネルとしたナノトランジスターの作製を目指し、C60を飽和させたトルエンからC60を晶析させ、その晶析体の成長傾向、および物性を調査した。晶析はディップコート法によって行い、浸漬時間および引き上げ速度を変化させてその成長傾向の変化を観察した。晶析体は、浸漬時間を増加したことにより、その量を増加させた。引き上げ速度を遅くしたことにより晶析体の巨大化を確認した。また作製した晶析体を、反射X線回折、ラマン分光分析およびI-V測定によって調査した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 458 Kバイト