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ポリ(3-ヘキシルチオフェン)LB膜の作製と電気物性評価

ポリ(3-ヘキシルチオフェン)LB膜の作製と電気物性評価

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-099

グループ名: 【全国大会】平成21年電気学会全国大会論文集

発行日: 2009/03/15

タイトル(英語): Preparation and Electric Physicality of Poly(3-Hexylthiophene) LB Films

著者名: 小出 哲也(千葉大学),山田 祥孝(千葉大学),日野 浩二(千葉大学),串田 正人(千葉大学)

著者名(英語): Tetsuya Koide(Chiba University),Yoshitaka Yamada(Chiba University),Koji Hino(Chiba University),Masahito Kushida(Chiba University)

キーワード: LB膜|導電性|電圧|電流|電力|エネルギー

要約(日本語): バルクにおいてポリチオフェンや金は高い導電性を持つ.この高い導電性を保持したまま数ナノメートルオーダーの薄膜が作製できれば分子素子の面からも非常に興味深い.発生電圧はLB膜の導電性と誘電率に比例し増大することから,LB膜分子に導電性高分子を用いることでより大きな発生電圧が期待できる.本研究の目的はポリ(3-ヘキシルチオフェン)のLB膜を作製し,電気化学的電圧印加(ECSV)を行い,分子を高配向させより大きな電圧を発生させることである.ECSVを行ったLB膜を金とアルミニウムの蒸着膜間に挟んだ試料からの発生電圧,発生電圧の時間依存性,ECSVによる発生電圧の上昇等について報告する.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 578 Kバイト

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