V2O5／CuPc積層電界効果トランジスタにおける混合層の挿入効果

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-104

グループ名: 【全国大会】平成21年電気学会全国大会論文集

発行日: 2009/03/15

タイトル(英語): Effect of Mixed Layer Insertion in V2O5/CuPc Field-Effect Transistor

著者名: 北村翔平 (新潟大学),皆川正寛 (新潟大学),大平泰生 (新潟大学),馬場暁 (新潟大学),新保一成 (新潟大学),加藤景三 (新潟大学),金子双男 (新潟大学)

キーワード: 電界効果トランジスタ|五酸化バナジウム|銅フタロシアニン

要約(日本語): 近年、有機電界効果トランジスタ（OFET）に注目が集められているが、大きな電流が流せないなどの問題点が残っている。以前、我々は銅フタロシアニン（CuPc）薄膜を用いたFETに、有機電界発光素子などで電荷発生層として働くことが知られている五酸化バナジウム（V2O5）層を積層するとオン電流が増加する現象を報告した。今回は、CuPcとV2O5層の界面に混合層を挿入することによって、素子特性の改善を試みた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 904 Kバイト