MRIのRFパルスで励磁した共振回路の温度上昇の周波数特性

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-111

グループ名: 【全国大会】平成21年電気学会全国大会論文集

発行日: 2009/03/15

タイトル(英語): Frequency dependence of temperature rise of resonant circuit excited by RF pulse of MRI.

著者名: 清水 正人(横浜国立大学),山田 努(横浜国立大学),竹村 泰司(横浜国立大学),丹羽 徹(神奈川県立こども医療センター),井上 登美夫(横浜市立大学)

著者名(英語): Masato Shimizu(Yokohama National University),Tsutomu Yamada(Yokohama National University),Yasushi Takemura(Yokohama National University),Tetsu Niwa(Kanagawa Children's Medical Center),Tomio Inoue(Yokohama City University)

キーワード: ハイパーサーミア|共振回路|MRI|RFパルス

要約(日本語): ハイパーサーミアはがん組織の加温によってがんを死滅させる治療法である。これにおいて我々は、共振回路をインプラント発熱体とし、MRIによって励磁を行うインプラント式ハイパーサーミアを検討している。今回、より大きな発熱が得られるよう最適設計を行った回路に対して、実際にMRIを用いて励磁したところ、MRIのRFパルス交流磁界の持つ周波数帯によって温度の周波数特性が得られた。これを利用することで、回路を共振周波数で励磁し、高効率な発熱が期待される。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 836 Kバイト