磁区構造転移を利用したインダクタンス素子

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-138

グループ名: 【全国大会】平成21年電気学会全国大会論文集

発行日: 2009/03/15

タイトル(英語): Proposal of a switched inductor by using a magnetic element with domain change property

著者名: 中居 倫夫(宮城県産業技術総合センター),高田 健一(宮城県産業技術総合センター),石山 和志(東北大学)

著者名(英語): Tomoo Nakai(Industrial Technology Instisute,Miyagi Prefectural Government),Kenichi Takada(Industrial Technology Instisute,Miyagi Prefectural Government),Kazushi Ishiyama(Tohoku University)

キーワード: 磁区転移|スイッチインダクタ|磁性薄膜|傾斜磁区

要約(日本語): 薄膜軟磁性体で形成された矩形状の薄膜磁性体素子に、短軸方向を基準として膜面内で傾斜した方向に磁化容易軸を形成し、この方向を制御することで磁場に対して不連続的にインピーダンスが変化する素子が構築できる。この現象は、ストライプ状磁区構造と長手方向に磁気モーメントが揃った磁区構造の転移に伴い発生する。 本研究は、この磁区転移を利用して、インダクタンスをスイッチ的に変化させる素子を提案することを目的にして検討を行った。結果として、磁区転移に応じて素子のインダクタンスがスイッチ的に不連続に変化することを実験的に確認した。

原稿種別: 日本語

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