高異方性磁界持つCoFeB膜の膜形成過程における入射スパッタ粒子の検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-146

グループ名: 【全国大会】平成21年電気学会全国大会論文集

発行日: 2009/03/15

タイトル(英語): Examination of sputtered incident particles during the deposition of CoFeB film with high anisotropy field

著者名: 今泉良一 (崇城大学),宗像誠 (崇城大学),大越正敏 (九州工業大学),槙孝一郎 (住友金属鉱山)

キーワード: 異方性磁界|GHz帯磁性材料|スパッタ粒子シミュレーション

要約(日本語): GHz帯高周波用磁性薄膜材料において，数GHzの動作周波数特性を得るためには，600-700 Oe以上の異方性磁界を必要とする．これに対応して著者らは，CoFeB膜を回転円筒電極型三元同時RFマグネトロンスパッタ法（カルーセル型スパッタ）で作製し，そのスパッタ機構に関連して要求される程度の大きな一軸異方性磁界を得ているが1），その発現のメカニズムについてはまだ明らかではない．本研究では，膜の膜形成過程におけるスパッタ粒子の入射シミュレーションを行い，異方性磁界発現の効果について検討したので報告する．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 656 Kバイト