単層Fe-MgO系グラニュラー薄膜を用いたナノ構造デバイス

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-158

グループ名: 【全国大会】平成21年電気学会全国大会論文集

発行日: 2009/03/15

タイトル(英語): single-layer Fe-MaO nanodot-array nano device

著者名: 若杉恭平 (北海道大学),工藤昌輝 (北海道大学),浜田弘一 (北海道大学),有田正志 (北海道大学),高橋庸夫 (北海道大学)

キーワード: スピントロニクス|単電子効果|TMR効果

要約(日本語): ナノグラニュラー系のトンネル磁気抵抗(TMR)素子開発において重要な、ナノ粒子のサイズ，分散性を制御する目的で、異なる厚みや成膜温度の単層島状Fe薄膜を作成し評価してきた。これを踏まえ本研究では、単電子の効果とTMR効果を合わせ持つデバイスを得ることを目的として、微細な金属電極間にグラニュラー膜を配置したデバイス作成を行った。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 787 Kバイト