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Si細線に作製したダブルドット単電子トランジスタの特性

Si細線に作製したダブルドット単電子トランジスタの特性

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-015

グループ名: 【全国大会】平成21年電気学会全国大会論文集

発行日: 2009/03/15

タイトル(英語): Double-dot single-electron transistor fabricated in silicon nanowire

著者名: 曹民圭 (北海道大学),開澤拓弥 (北海道大学),有田 正志(北海道大学),藤原 聡(NTT物性科学基礎研究所),高橋 庸夫(北海道大学)

著者名(英語): Mingyu Jo(Hokkaido University),Takuya Kaizawa(Hokkaido University),Masashi Arita(Hokkaido University),Akira Fujiwara(NTT Basic Research Laboratories),Yasuo Takahashi(Hokkaido University)

キーワード: クーロンブロッケード|単電子トランジスタ|ダブルドット

要約(日本語): ダブルドット単電子トランジスタは単電子ポンプなどへの応用が期待される。そのダブルドットの作製方法は難しいと言われている。今回の実験でSOI基板上に作成したシリコン細線を酸化することにより、ダブルドットの単電子トランジスタができることを示した。測定したデータとシミュレーション結果を比較した。これにより、ダブルドットができたことを確認し、その構造を推定した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 779 Kバイト

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