SOI-MEMSアクチュエータ集積化システムに向けた高耐圧CMOS技術の開発

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-143

グループ名: 【全国大会】平成21年電気学会全国大会論文集

発行日: 2009/03/15

タイトル(英語): Development of High-Voltage CMOS Technology for SOI-MEMS Microactuator Integrated Systems

著者名: 中田透 (豊橋技術科学大学),高尾英邦 (豊橋技術科学大学),澤田和明 (豊橋技術科学大学),石田誠 (豊橋技術科学大学)

キーワード: SOI-MEMS|アクチュエータ|高耐圧CMOS技術|集積化

要約(日本語): 本研究ではSOI-MEMSアクチュエータ集積化システムに向けた高耐圧CMOS技術の開発を行った．pn接合の高耐圧化のため、標準CMOSのドレイン層を囲むように不純物濃度を低くした電界緩和層を配置するDouble Diffused Drain構造を導入した．CMOSに電界緩和層を形成する条件を決定し，本学設備を用いてアクチュエータ駆動用高耐圧CMOS回路の設計と作製を行なった．電界緩和層を配置したpn接合の逆方向降伏電圧を測定した結果，理論計算と一致する高い降伏電圧が得られた．標準CMOSに対してマスク2枚の僅かな工程を追加することで高い駆動電圧を持つ制御集積回路とSOI-MEMSアクチュエータの一体化に実現可能な見通しが得られた．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 945 Kバイト