斜めDeep-RIEを用いた静電アクチュエータの作製

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-150

グループ名: 【全国大会】平成21年電気学会全国大会論文集

発行日: 2009/03/15

タイトル(英語): Development of Electrostatic Actuator Based on Skewed Deep RIE Technique

著者名: 中田宗樹 (東京大学),高橋 一浩(東京大学),高橋 巧也(東京大学),肥後 昭男(東京大学),藤田 博之(東京大学),年吉 洋(東京大学)

著者名(英語): Muneki Nakada(University of Tokyo),Kazuhiro Takahashi(University of Tokyo),Takuya Takahashi(University of Tokyo),Akio Higo(University of Tokyo),Hiroyuki Fujita(University of Tokyo),Hiroshi Toshiyoshi(University of Tokyo)

キーワード: 斜めDeep-RIE|静電アクチュエータ|斜めエッチング

要約(日本語): 平行平板型の静電アクチュエータは基本的なデバイスとして広く用いられている．しかしながら，アクチュエータとしてその特性を評価した場合，変位の大きさはその平行平板の間隔で制限されており，変位を大きくするためには，平行平板の間隔を大きくとる必要があった．本研究ではシリコンの垂直エッチング技術であるDeep-RIE (Reactive Ion Etching)を，垂直でなく斜めに加工する方法を利用して，間隔の大きな静電アクチュエータの作製に成功した．SOI(Silicon on Insulator)ウェハとナナメDeep-RIEエッチングを用いることで，比較的低電圧で大変位なアクチュエータを作製した．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 745 Kバイト