プロトンポンピングゲートFETをベースとした集積化水素ガスセンサの開発

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-173

グループ名: 【全国大会】平成21年電気学会全国大会論文集

発行日: 2009/03/15

タイトル(英語): Development of an integrated hydrogen gas sensor with a proton-pumping gate FET

著者名: 山口 富治(岡山大学),坪田 公輔(岡山大学),山田 博信(岡山大学),紀和 利彦(岡山大学),塚田 啓二(岡山大学),近藤洋平 (シャープタカヤ電子工業),今城 啓文(シャープタカヤ電子工業),本藤 勉(シャープタカヤ電子工業),前原 経利(フェニテックセミコンダクター),山本 忠義(フェニテックセミコンダクター)

著者名(英語): Tomiharu Yamaguchi(Okayama University),Kousuke Tsubota(Okayama University),Hironobu Yamada(Okayama University),Toshihiko Kiwa(Okayama University),Keiji Tsukada(Okayama University),Yohei Kondo(Sharp Takaya Electronic Industry Co.,Ltd.),Hirofumi Imajo(Sharp Takaya Electronic Industry Co.,Ltd.),Tsutomu Hondo(Sharp Takaya Electronic Industry Co.,Ltd.),Tunetoshi Maehara(Phenitec Semiconductor),Tadayoshi Yamamoto(Phenitec Semiconductor)

キーワード: 水素センサ|FET|プロトンポンピングゲート|集積化センサ|自己診断機能

要約(日本語): 本研究では，ヒータと温度センサを集積化したプロトンポンピングゲートFET型水素センサを新たに開発した．センサチップの構造は，中央部に電界効果トランジスタおよび温度測定用ダイオードが形成され，そしてそれらを取り囲むようにヒータ抵抗がパターニングされたものとなっている．本センサは，交流変調動作により空気中の水素ガスを高感度に検出できた．また，ヒータの印加電圧を変化させることにより，センサ温度を34-112℃の間で制御することができた．ダイオードの出力電圧は温度増加に対して線形に減少した．これらの結果より，本センサ構造により温度変動など環境変化の影響を受けない水素ガスセンサを実現可能であることが示された．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,100 Kバイト