TDRを用いた高パワー密度電力変換回路パターンのインピーダンス測定

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-048

グループ名: 【全国大会】平成21年電気学会全国大会論文集

発行日: 2009/03/15

タイトル(英語): The Impedance Measurement of High Power Density Power Electronics Systems using TDR

著者名: 橋野 哲(首都大学東京),清水 敏久(首都大学東京)

著者名(英語): Satoshi Hashino(Tokyo Metropolitan University),Toshihisa Shimizu(Tokyo Metropolitan University)

キーワード: TDR測定法|高パワー密度|実装技術

要約(日本語): 半導体電力変換装置の新分野への適応拡大による一層の高パワー密度化を達成するには、デバイスや受動素子及び配線パターンの寄生成分の正確な把握が重要な技術となる。本研究では半導体電力変換回路の高密度実装技術に焦点を当て、回路構成要素が実装された回路基板の配線パターンの相互作用や素子との接点に寄生する成分も含め総合的に測定する方法の検討を行っている。本稿ではチップセラミックコンデンサの寄生誘導性成分の測定例を示した後、降圧チョッパ回路を想定した基板パターンの反射波の測定結果を示し、TDR測定法が電力変換回路の実装パターンの寄生成分を把握する方法として有益である事を示す。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,063 Kバイト