端子間容量の電圧依存性を考慮したパワーMOSFETのモデリング

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-143

グループ名: 【全国大会】平成21年電気学会全国大会論文集

発行日: 2009/03/15

タイトル(英語): Modeling of Power MOSFETs with Focus on Voltage Dependency of Terminal Capacitances

著者名: 冨永 真志(東京工業大学),地道 拓志(東京工業大学),漆畑 廣明(東京工業大学),藤田 英明(東京工業大学),赤木 泰文(東京工業大学),木ノ内 伸一(三菱電機),大井 健史(三菱電機)

著者名(英語): Shinji Tominaga(Tokyo Institute of Technology),Takushi Jimichi(Tokyo Institute of Technology),Hiroaki Urushibata(Tokyo Institute of Technology),Hideaki Fujita(Tokyo Institute of Technology),Hirofumi Akagi(Tokyo Institute of Technology),Shinichi Kinouchi(Mitsubishi Electric Co.),Takeshi Oi(Mitsubishi Electric Co.)

キーワード: シミュレーション|デバイスモデリング|パワーMOSFET

要約(日本語): 近年，パワーエレクトロニクス機器の普及が進む中，その設計段階において損失に起因する熱解析やノイズに起因するEMI解析が不十分なため，各種コストの増大が問題となっている。本稿では，DC特性を模擬するMOSFETのSPICEモデルと，AC特性を模擬する可変キャパシタにより構成されるパワーMOSFETモデルを提案した。また，可変キャパシタの容量特性をLCRメータで測定し，スイッチング波形を用いた補正により，精度の高い実測波形の再現を可能とした。さらにディスクリートのMOSFETを使用した実機検証を行い，dv/dt，di/dt，損失における実測との誤差が10%以下の範囲に収まることを確認した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,712 Kバイト