ゼロ電流スイッチング(ZCS)におけるIGBTのターンオン解析

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-144

グループ名: 【全国大会】平成21年電気学会全国大会論文集

発行日: 2009/03/15

タイトル(英語): Analysis of turn-on switching of IGBT under zero current switching (ZCS) condition

著者名: 下條亮平 (東芝),小倉 常雄(東芝),高橋 仁(東芝),前田 陽介(東芝),脇山 成一郎(東芝),二宮 英彰(東芝),山口 正一(東芝)

著者名(英語): Ryohei Gejo(Toshiba Corporation Semiconductor Company),Tsuneo Ogura(Toshiba Corporation Semiconductor Company),Hitoshi Takahashi(Toshiba Corporation Semiconductor Company),Yosuke Maeda(Toshiba Corporation Semiconductor Company),Seiichiro Wakiyama(Toshiba Corporation Semiconductor Company),Hideaki Ninomiya(Toshiba Corporation Semiconductor Company),Masakazu Yamaguchi(Toshiba Corporation Semiconductor Company)

キーワード: IGBT|ゼロ電流スイッチング|ターンオン

要約(日本語): ゼロ電流スイッチング(ZCS)におけるターンオンのメカニズムについては未解明な点が多いことから、IGBT及びMOSFETを用いた測定結果、シミュレーション結果から考察を行った。MOSFETは大電流が流れるとオン抵抗が高くなるため、スーパージャンクションMOSFETを用いてもターンオン損失が大きくなる。IGBTは伝導度変調によってキャリアを蓄積できるため、MOSFETよりターンオン損失の低減が可能であることがわかった。また、シミュレーションによる解析結果からN-層へより早くキャリアを蓄積できる構造ほどZCSでのターンオン損失を低減できることがわかった。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,103 Kバイト