SiC MOSFETのスイッチング動作に関する一検討 -SiC DMOSFETとトレンチMOSFET-

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-148

グループ名: 【全国大会】平成21年電気学会全国大会論文集

発行日: 2009/03/15

タイトル(英語): A Study on Switching Characteristics of SiC MOSFET -SiC DMOS and Trench MOSFET-

著者名: 舟木 剛(大阪大学),中野 佑紀(ローム),中村 孝(ローム)

著者名(英語): Tsuyoshi Funaki(Osaka Univ.),Yuki Nakano(ROHM Co.,LTD.),Takashi Nakamura(ROHM Co.,LTD.)

キーワード: SiCデバイス|パワー半導体|スイッチング

要約(日本語): 半導体Siの物性限界を超えるパワーデバイス材料として，ワイドバンドギャップ半導体であるSiCが注目されている。[1] SiCを適用したショットキーバリアダイオードは既に市販されており，SiのPiNダイオードに比して優れた特性を示すことが報告されている。またダイオードに続き，可制御素子であるトランジスタ(FET)も実用化への研究開発が鋭意進められている。本稿では，SiC MOSFETのスイッチング動作について実験結果を示し，素子構造の違いによるスイッチング特性への影響について考察する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 675 Kバイト