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SiC JFETを用いたE級電力増幅回路に関する実験的検討

SiC JFETを用いたE級電力増幅回路に関する実験的検討

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-149

グループ名: 【全国大会】平成21年電気学会全国大会論文集

発行日: 2009/03/15

タイトル(英語): An Experimental Study on E-class Power Amplifier with SiC JFET

著者名: 宅野 嗣大(京都大学),引原 隆士(京都大学)

著者名(英語): Tsuguhiro Takuno(Kyoto University),Takashi Hikihara(Kyoto University)

キーワード: 共振型電力変換回路|高周波スイッチング|ノーマリオン型SiC JFET|E級動作

要約(日本語): 電力変換回路の小型化のためにスイッチング周波数を高周波化すると、スイッチングに伴う損失やノイズなどの問題が顕著になる。そのため、共振型の電力変換回路を使用して、これらの影響を低減するための対策が必要である。本研究では、高速スイッチング素子としてノーマリオン型のSiC JFETを使用し、共振型回路としてE級電力増幅回路を検討する。実験において、2MHzのスイッチング周波数でE級動作を達成した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 799 Kバイト

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