SiC-VJFETパワーデバイスのスイッチング特性の温度依存性

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-150

グループ名: 【全国大会】平成21年電気学会全国大会論文集

発行日: 2009/03/15

タイトル(英語): Switching characteristics of SiC-VJFET for inductive load from room temperature to 120℃

著者名: 牧 健太郎(九州工業大学),吉永 啓佑(九州工業大学),ソムパッタナープーンヤケット (九州工業大学),原田 克彦(九州工業大学),小迫 雅裕(九州工業大学),大塚信也 (九州工業大学),匹田 政幸(九州工業大学)

著者名(英語): Kentaro Maki(Kyushu Institute of Technology),Keisuke Yoshinaga(Kyushu Institute of Technology),Pounyakhet Sompathana(Kyushu Institute of Technology),Katsuhiko Harada(Kyushu Institute of Technology),Masahiro Kozako(Kyushu Institute of Technology),Shinya Ohtsuka(Kyushu Institute of Technology),Masayuki Hikita(Kyushu Institute of Technology)

キーワード: SiC-VJFET|パワーデバイス|スイッチング特性|温度

要約(日本語): SiC-VJFETを適用したインバータを電気自動車に搭載した際にはエンジンルームからの高熱などにより,素子が高温になることが予想される。本稿では,SiC-VJFETが外部から温度変化を受けた時のスイッチング特性の変化を測定した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 3,086 Kバイト