A Study on C-V Characterization of Lateral-type Silicon Carbide JFET

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-151

グループ名: 【全国大会】平成21年電気学会全国大会論文集

発行日: 2009/03/15

タイトル(英語): A Study on C-V Characterization of Lateral-type Silicon Carbide JFET

著者名: Nathabhat Phankong(京都大学),Tsuyoshi Funaki(大阪大学),Takashi Hikihara(京都大学)

著者名(英語): Nathabhat Phankong(Kyoto University),Tsuyoshi Funaki(Osaka University),Takashi Hikihara(Kyoto University)

キーワード: C-V Characterization|SiC|JFET|Modeling

要約(日本語): The transient response of junction field-effect transistors (JFETs) at switching operation is governed with the capacitance between terminals. This paper focuses on the C-V characterization, through the measurement and modeling of capacitance in the lateral-type SiC JFET.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 669 Kバイト