SiC-BGSITの負荷短絡耐量のチャネル幅依存性

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-152

グループ名: 【全国大会】平成21年電気学会全国大会論文集

発行日: 2009/03/15

タイトル(英語): Dependence of Channel Width on Short-Circuit Withstand Capability for SiC-BGSITs

著者名: 矢野浩司 (山梨大学),田中保宣 (産業技術総合研究所),八尾勉 (産業技術総合研究所),高塚章夫 (産業技術総合研究所)

キーワード: パワーデバイス|SIT|デバイスシミュレーション|SiC

要約(日本語): 筆者らはSiCを用いた埋め込みゲート型静電誘導トランジスタ(Buried gate static induction transistors: BGSITs)で、約4A 600V級でシリコンパワーデバイスの約1/10の電力損失を実現するとともに、室温で10J/cm^2以上の良好な負荷短絡耐量が得られる事を明らかにした1)。本研究では、チャネル幅を変化させる事により、オン抵抗を増加させずに負荷短絡耐量を改善できる事を実験及びシミュレーションで明らかにした。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 702 Kバイト