1200V級SiCデバイスを適用した電力変換器の損失低減効果の評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-153

グループ名: 【全国大会】平成21年電気学会全国大会論文集

発行日: 2009/03/15

タイトル(英語): Assessment of power-loss-reduction effect of power converters using 1200V-level SiC devices

著者名: 原田信介 (産業技術総合研究所),高尾和人 (東芝),太田千春 (東芝),西尾譲司 (東芝),大橋弘通 (産業技術総合研究所)

キーワード: 電力用半導体素子|インバータ|炭化珪素|損失

要約(日本語): 産総研にて試作した1200V-10A級SiC-IEMOSFETと東芝にて試作した1200V-10A級SiC-JBSを組み合わせ、三相インバータに適用した場合の損失を算出した。そして、Si-IGBTとSi-PiNダイオードを組み合わせたAll Siインバータおよび、Si-IGBTとSiC-JBSを組み合わせたハイブリッドペアインバータの損失に対してのAll SiCインバータの損失低減効果を評価した。三相インバータのスイッチング周波数が20 kHzにおいてAll SiCの損失はAll Siに対して69 %減、ハイブリッドペアに対しては46.8 %減である。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 625 Kバイト