GaN-on-SiパワーHFETのゲートフィールドプレートの効果

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-154

グループ名: 【全国大会】平成21年電気学会全国大会論文集

発行日: 2009/03/15

タイトル(英語): Effects of Gate Field Plate on the Electrical Properties in GaN-on-Si Power HFETs

著者名: 山口 裕之(山梨大学),矢野 浩司(山梨大学),松本 俊(山梨大学),馬場 良平(サンケン電気),鈴木 徹(サンケン電気),町田 修(サンケン電気)

著者名(英語): Hiroyuki Yamaguchi(University of Yamanashi),Koji Yano(University of Yamanashi),Takashi Matsumoto(University of Yamanashi),Ryouhei Baba(Sanken Electric Co.,Ltd.),Tohru Suzuki(Sanken Electric Co.,Ltd.),Osamu Machida(Sanken Electric Co.,Ltd.)

キーワード: パワーデバイス|GaN-on-Si HFET|デバイスシミュレーション|フィールドプレート

要約(日本語): 現在、Siを用いたデバイスが物性上の限界に近づいており、新たな材料及びデバイス構造として GaN on Si-HFETに注目している。本研究では漏れ電流の軽減方法について、フィールドプレートのドレイン側長さ(FP長)を変更し、ゲートのバリアトンネルのモデルを組み込み、デバイスシミュレーションを行い検討した。 その結果、FP長を増加させるとゲート-ドレイン間の漏れ電流成分は減少した一方、降伏電圧は低下した。 FP長の増加によりバリアトンネル効果が抑制され、ゲート-ドレイン間の漏れ電流を低減できること、ドレイン端の電界強度が増加し降伏電圧が低下することが予測できた。降伏電圧の更なる向上には、ゲート端部のほかドレイン端部の電界緩和策が重要であると思われる。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,263 Kバイト