モータ・ドライブ用インバータにおけるGaN FETのリカバリー特性の確認

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-155

グループ名: 【全国大会】平成21年電気学会全国大会論文集

発行日: 2009/03/15

タイトル(英語): Reverse Recovery Characteristics of GaN FET on Motor Drive Inverter

著者名: 町田 修(サンケン電気),金子 信男(サンケン電気),後藤 博一(サンケン電気),岩渕 昭夫(サンケン電気),伊東 洋一(サンケン電気)

著者名(英語): Osamu Machida(Sanken Electric),Nobuo Kaneko(Sanken Electric),Hirokazu Goto(Sanken Electric),Akio Iwabuchi(Sanken Electric),Youichi Ito(Sanken Electric)

キーワード: 汎用インバータ|次世代パワーデバイス|GaN|リカバリー特性

要約(日本語): 現在，広く使われているIGBTやPower MOS FETに代わる次世代スイッチングバルブとしてSiCやGaNを用いた素子の研究開発が進められている。筆者らは，GaN FETを様々なアプリケーションに用いて実機動作させ，実用上問題ないか検討している。GaN SBD単体でのリカバリー特性は，Si素子のものに比べて非常に改善されることが確認できているが，本論文では，SBDを一体化した GaN FETを0.75kWの汎用インバータに適用した場合のリカバリー特性について確認したので報告する。特にモータ駆動時のインバータにおいても，単体時の特性と同じく，良好なリカバリー特性が得られることがわかった。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 715 Kバイト