パンチスルー現象を用いたスナバレスSiC-SIT半導体直流遮断器の基礎検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-156

グループ名: 【全国大会】平成21年電気学会全国大会論文集

発行日: 2009/03/15

タイトル(英語): Fundamental investigation of snubber-circuit-less SiC-SIT semiconductor DC breakers using punch through

著者名: 戸林俊介(千葉大学),田中保宣(産業技術総合研究所),福井昭圭(NTTファシリティーズ),山崎幹夫(NTTファシリティーズ),釜我昌武(千葉大学),佐藤之彦(千葉大学),大橋弘通(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Shunsuke Tobayashi|Yasunori Tanaka|Akiyoshi Fukui|Mikio Yamasaki|Masamu Kamaga|Yukihiko Sato|Hiromichi Ohasi

キーワード: SiC-SIT|直流遮断器|直流給電|パンチスルー

要約(日本語): 情報通信用電源における消費電力増加に伴い、高効率化が期待できる高電圧の直流給電が注目されている。一方、直流給電の技術課題の一つに過電流・短絡時の遮断の問題がある。遮断速度、メンテナンス、また多機能化を考える上でヒューズや機械式遮断器よりも、半導体デバイスを用いた遮断器が適しているといえる。本研究では、低損失で高破壊耐量のため次世代半導体素子として期待されているSiC-SITを使用した直流遮断器を検討する。本稿では、ゲート電圧を制御しパンチスルー発生電圧を変化させることで半導体直流遮断器にスナバ回路を付加することなく遮断時の過電圧・共振を抑制することが可能であることを実験的に示した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,170 Kバイト