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常電導転移時のYBCO薄膜抵抗発生多分割近似モデルの検討

常電導転移時のYBCO薄膜抵抗発生多分割近似モデルの検討

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 6-169

グループ名: 【全国大会】平成21年電気学会全国大会論文集

発行日: 2009/03/15

タイトル(英語): Multi-Case-Divided Resistance Model of YBCO Thin Films during S/N Transition

著者名: 西岡 英祥(東京大学),馬場 旬平(東京大学),仁田 旦三(明星大学),松村 年郎(名古屋大学),熊谷 俊弥(産業技術総合研究所),渋谷 正豊(関東学院大学)

著者名(英語): Hideyoshi Nishioka(The University of Tokyo),Jumpai Baba(The University of Tokyo),Tanzo Nitta(Meisei University),Toshiro Matsumura(Nagoya University),Toshiya Kumagai(AIST),Masatoyo Shibuya(Kanto Gakuin University)

キーワード: 超電導体|YBCO薄膜|限流器|近似モデル

要約(日本語): 超電導体での発生抵抗を近似する際にはn値近似がよく用いられるが、n値近似は超電導体に抵抗が発生し始める領域のみを近似したものであり、限流器において限流動作全体に渡る近似モデルを必要とする場合においてはモデルとして不十分である。超電導体における電磁現象を詳細に考察して発生抵抗を求める手法も考えられるが、超電導体の特性を詳細に把握する必要があることから、多数の超電導体を必要とする用途には適用が困難であると思われる。そこでYBCO薄膜を用いた抵抗型限流器において、第一半波にて常電導転移を起こす実験結果のI-V特性を基に、事象の変化による抵抗発生要因の違いを考慮し、事故電流通電時のYBCO薄膜発生抵抗を6期間に分割して近似する手法の検討を行った。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,634 Kバイト

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