C8F18プラズマCVDにより堆積されたa-C:F膜の熱耐性評価及び投入電力の最適条件

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-195

グループ名: 【全国大会】平成22年電気学会全国大会論文集

発行日: 2010/03/05

タイトル(英語): Thermal Tolerance of a-C:F Films Deposited by C₈F₁₈ Plasma CVD and its Optimum Condition

著者名: 水野 巧一朗(北海道大学),菅原 広剛(北海道大学),村山 明宏(北海道大学)

著者名(英語): Kouichiro Mizuno(Hokkaido University),Hirotake Sugawara(Hokkaido University),Akihiro Murayama(Hokkaido University)

キーワード: プラズマCVD|フッ化炭素誘電体膜|C8F18|堆積速度|プラズマ電力

要約(日本語): C8F18を材料ガスとして用い、プラズマCVD法により吹き流しと封じきりの両条件でa-C:F膜を生成した。a-C:F膜の耐熱性と、吹き流し／封じきりCVDにおける堆積速度を基に、最適な投入電力について検討した。a-C:F膜堆積では堆積中の基板温度が高くなるにつれ堆積速度が低下し、熱による膜中のFの脱離などの影響もあり200℃以上では膜生成が困難になるため、吹き流しでは基板温度をCF膜の融解が起こらない程度に抑えられる電力、封じきりではFの脱離が顕著にならない電力のときに堆積レートが最も高くなるものと考えられる。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,016 Kバイト