マグネトロンスパッタ源を用いたシリコン基板上への窒化アルミ薄膜の製作

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-200

グループ名: 【全国大会】平成22年電気学会全国大会論文集

発行日: 2010/03/05

タイトル(英語): Aluminum Nitride Film on Silicon deposited by Magnetron Sputtering Source

著者名: 大塚裕介 (大阪大学)

著者名(英語): Yusuke Ohtsuka(Osaka University)

キーワード: 窒化アルミ|傾斜組成|ラマン分光|プラズマ

要約(日本語): 窒化アルミ薄膜は、スパッタされたアルミ粒子と反応性ガスである窒素を反応させて成膜をするため、窒素の混合割合によって結晶状態が変化する。また、成膜過程で大きな残留応力が発生しき裂や剥離につながることが想定される。そこで本研究では、比較する結果が豊富なシリコンを基板として、傾斜組成による窒化アルミの成膜が応力緩和や結晶構造に与える影響を調べた。その結果、傾斜組成がない窒化アルミ薄膜の表面は平滑化しており、0.6GPaの圧縮応力が発生した。その一方、窒素混合量を5分毎に0.5sccmずつ段階的増加させて成膜した場合、窒化アルミ薄膜の表面は粗くなり、圧縮応力も0.04GPaまで大幅に抑制されることがわかった。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,035 Kバイト