プラズマ支援PLD法を用いてCuドープした発光素子p型ZnO膜の基板依存性について

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-060

グループ名: 【全国大会】平成22年電気学会全国大会論文集

発行日: 2010/03/05

タイトル(英語): Synthesis of Cu-doped p-type zinc oxide light-emitting element films on quartz or sapphire substrate by plasma assisted pulsed laser deposition

著者名: 上原 朋之(日本大学),胡桃 聡(セイコーエプソン),高瀬 浩一(日本大学),鈴木 薫(日本大学)

著者名(英語): Tomoyuki Uehara(Nihon University),Satoshi Kurumi(Seiko Epson Corporation),Kouichi Takase(Nihon University),Kaoru Suzuki(Nihon University)

キーワード: 半導体|発光素子|ワイドギャップ半導体|PLD法|YAGレーザ|ZnO

要約(日本語): ZnOは励起子結合エネルギーが60meVと高く室温でも安定して励起子が存在でき、エネルギーバンドギャップが3.37eVと大きく透明半導体デバイスとして期待できると同時に直接遷移型半導体であるため励起子発光を利用した青から近紫外線が得られるが、電流が流れにくい性質を持つ。このため不純物のドープが検討されたが、電気陰性度の大きな酸素を含むため電子ドープは容易であるがホールドープは困難であるという単極性を有している。そこで元素置換により銅をドープしホールドープを行うことで自己補償効果に打ち勝つことを目標とし、石英基板とサファイア基板上にそれぞれにZnO:Cuの成膜を行い電気伝導性の向上とエネルギーバンドギャップの低下による発光への影響を検討した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,363 Kバイト