サファイア基板上へのZnTe薄膜の作製と配向性の評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-064

グループ名: 【全国大会】平成22年電気学会全国大会論文集

発行日: 2010/03/05

タイトル(英語): ZnTe thin films growth on saphire substrates and the investigation of orientation

著者名: 馬場 俊彰(早稲田大学),今田 将太(早稲田大学),木原 大真(早稲田大学),熊谷 裕輝(早稲田大学),太田匠哉 (早稲田大学),小林 正和(早稲田大学)

著者名(英語): Toshiaki Baba(Waseda University),shota Imada(Waseda University),Daishin Kihara(Waseda University),yuki Kumagai(Waseda University),Takuya Ota(Waseda University),Masakazu Kobayashi(Waseda University)

キーワード: II-VI族半導体|MBE|テラヘルツ波|極点図|RHEED|化合物半導体

要約(日本語): 本研究では、テラヘルツ波の検出技術への応用に向けたサファイア基板上のZnTe薄膜の作製と配向の解析を行った。ZnTeを用いたテラヘルツ波の検出技術を行うときに、ポッケルス効果の大きなZnTe(110)やZnTe(111)に配向した薄膜の作製が重要なカギとなる。ZnTeを成長させる基板としてはa面とc面サファイア基板を選んだ。サファイア基板上のZnTe膜の配向を詳しく調べるために極点図測定を行った。その結果、サファイア基板上にはZnTe(111)が配向していることが分かったが、双晶が発生してしまっていた。これまでのところ基板を変化させても配向の制御は行えていないが、詳細に成長条件を検討していく必要があると考えられる。

原稿種別: 日本語

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