電荷発生型P3HT薄膜トランジスタの作製と評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-095

グループ名: 【全国大会】平成22年電気学会全国大会論文集

発行日: 2010/03/05

タイトル(英語): Fabrication and Evaluation of Charge Generating Transistor with P3HT Thin Film

著者名: 東川 哲之(新潟大学),中井 健太郎(新潟大学),皆川 正寛(新潟大学),馬場 暁(新潟大学),新保 一成(新潟大学),加藤景三 (新潟大学),金子 双男(新潟大学)

著者名(英語): Tetsuyuki Higashikawa(Center for Transdisciplinary Research Niigata Univ.),Kentato Nakai(Center for Transdisciplinary Research Niigata Univ.),Masahiro Minagawa(Center for Transdisciplinary Research Niigata Univ.),Akira Baba(Center for Transdisciplinary Research Niigata Univ.),Kazunari Shinbo(Center for Transdisciplinary Research Niigata Univ.),Keizo Kato(Center for Transdisciplinary Research Niigata Univ.),Futao Kaneko(Center for Transdisciplinary Research Niigata Univ.)

キーワード: 有機トランジスタ|五酸化バナジウム|電荷発生層|電荷移動錯体

要約(日本語): 近年、有機薄膜トランジスタ（OTFT）は軽量、低コストプロセス、フレキシブルといった利点を持つことから多様な応用が期待され、注目を集めている。しかし、安定性が低いことや大電流を流しにくいといった問題も存在する。本研究では、OTFT材料として有望視されているP3HTを用いたトランジスタを作製し、電荷発生層の挿入効果を調べた。その結果、オン電流値を約３倍にまで増加することが確認できた。原因としては、電荷発生層として用いた五酸化バナジウム層が有機薄膜（P3HT）との間で電荷移動錯体を形成し、これが負のゲート電圧を印加した際に分離して、正孔がP3HTへ注入されたためと推定している。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 675 Kバイト