高分子ゲート絶縁層を用いた高性能フラーレンFETの作製と評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-096

グループ名: 【全国大会】平成22年電気学会全国大会論文集

発行日: 2010/03/05

タイトル(英語): High mobility fullerene field effect transistor prepared on polymeric gate insulator

著者名: 伊東 栄次(信州大学),米 大介(信州大学),宮入 圭一(信州大学)

著者名(英語): Eiji Itoh(Shinshu University),Daisuke Yone(Shinshu University),Keiichi Miyairi(Shinshu University)

キーワード: フラーレン|有機トランジスタ|高分子ゲート絶縁層|製膜温度|アモルファス

要約(日本語): 本研究では様々な高分子ゲート絶縁層上にフラーレン FET を作製し高性能化を目指した。その中でも、最も閾値電圧が低く電子移動度も高いベンゾシクロブテン(BCB)上においてフラーレン製膜時の基板温度を変えて膜質やデバイス性能の評価やデバイス作製プロセスの検討を行った。高温で形成する程、移動度が増加し閾値電圧が低下したが、いずれの膜も、アモルファス膜でありAFM像を見ると温度が高いほどより平滑で粒界がほとんどない均質な膜が得られた。均質で移動度1cm2/Vs以上のアモルファスSiを凌駕するN型有機薄膜トランジスタが得られたことは実用上重要な成果と言える。

原稿種別: 日本語

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