CoFeSiO／SiO2グラニュラー積層磁性膜を用いたRF薄膜インダクタの作製と特性評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-106

グループ名: 【全国大会】平成22年電気学会全国大会論文集

発行日: 2010/03/05

タイトル(英語): Fabrication and evaluation of RF Thin Film Inductor using CoFeSiO/SiO₂ Granular Multilayer Magnetic Film

著者名: 丸山 誠礼(信州大学),峯村 知剛(信州大学),橋本 篤典(信州大学),池田 賢司(太陽誘電),佐藤敏郎 (信州大学),曽根原 誠(信州大学),山沢清人 (信州大学),三浦 義正(信州大学)

著者名(英語): Takayuki Maruyama(Spin Device Technology Center,Shinshu University),Tomotake Minemura(Spin Device Technology Center,Shinshu University),Atsunori Hashimoto(Spin Device Technology Center,Shinshu University),Kenji Ikeda(Taiyo Yuden,Co.,Ltd.),Toshiro Sato(Spin Device Technology Center,Shinshu University),Makoto Sonehara(Spin Device Technology Center,Shinshu University),Kiyohito Yamasawa(Spin Device Technology Center,Shinshu University),Yoshimasa Miura(Spin Device Technology Center,Shinshu University)

キーワード: RF薄膜インダクタ|グラニュラー積層磁性膜|高Q化|導体ライン厚膜化|導体ライン分割

要約(日本語): 携帯電話をはじめとする情報通信機器の高機能化および小型化が著しく進展している．特に送信部のRF回路に実装され，インピーダンスマッチングや共振フィルタとして用いられるインダクタにも小型化やQ値向上，高効率化が要求されている．筆者らは，前述の要請を満たすCoFeSiO／SiO₂グラニュラー積層磁性膜を用いたRF薄膜インダクタを作製した．前述の磁性膜を用いることで空芯に比べインダクタンスが増大しデバイスサイズの小型化が出来る．また，高Q化を実現するためにコイル導体ライン部を分割し，導体ラインの厚膜化することで抵抗成分の低減化を図った．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,018 Kバイト