Cu/Co85Zr2Nb13多層膜コイルを用いた RF集積化スパイラルインダクタ

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-107

グループ名: 【全国大会】平成22年電気学会全国大会論文集

発行日: 2010/03/05

タイトル(英語): RF Integrated Spiral Inductor consisting of Cu/₈₅Zr₂Nb₁₃ Multilayered Thin Film

著者名: 佐藤 徳之(東北大学),遠藤 恭(東北大学),山口 正洋(東北大学)

著者名(英語): Noriyuki Sato(Tohoku University),Yasushi Endo(Tohoku University),Masahiro Yamaguchi(Tohoku University)

キーワード: RF回路|スパイラルインダクタ|マイクロ磁気デバイス|多層膜|表皮効果|負の透磁率

要約(日本語): 高周波アナログ回路や高速デジタル回路では、メタル配線や受動素子等における電流の表皮効果によりQ値の低下が問題である。これに対し、磁性体の負の透磁率を用いた表皮効果の抑制法がコプレーナ伝送線路を用いて実証されている。本研究では、5.2 GHz (IEEE802.11a規格) において、この抑制法を用いたスパイラルインダクタのQ値の増加を目的とした。2ポート型RF集積化導体/磁性体多層膜構造化スパイラルインダクタを作製し、Q値を評価した。抵抗値は15 GHz付近において表皮効果の抑制に起因する極小値をとり、Q値は15GHzにおいて最大Q = 95となった。磁性体の負の透磁率を用いた表皮効果抑制法を初めてスパイラルインダクタに適用し、Q値を増加させることができた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,177 Kバイト